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基于24AA1026/24LC1026/24FC1026下的1024K I2C™ CMOS 串行 EEPROM

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.51 MB | 2018-05-25

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　　特性：

　　• 低功耗 CMOS 技术：

　　- 最大读操作电流为 450 μA

　　- 最大待机电流为 5 μA

　　• 2 线串行接口，兼容 I

　　2C™

　　• 最多可级联 4 个器件

　　• 施密特触发器输入，可抑制噪声

　　• 输出斜率控制，可消除地弹

　　• 兼容 100 kHz 和 400 kHz 时钟

　　• FC 型器件时钟为 1 MHz

　　• 页写时间为 3 ms （典型值）

　　• 自定时擦 / 写周期

　　• 128 字节页写缓冲区

　　• 硬件写保护

　　• ESD 保护电压 》400V

　　• 可擦写次数大于 1 百万次

　　• 数据保持时间 》200 年

　　• 提供工厂编程服务

　　• 8 引脚 PDIP、 SOIJ 和 SOIC 封装

　　• 无铅，符合 RoHS

　　• 温度范围：

　　- 工业级 （I）：-40°C 至 +85°C

　　- 汽车级 （E）：-40°C 至 +125°C

基于24AA1026/24LC1026/24FC1026下的1024K I2C™ CMOS 串行 EEPROM

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