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基于MCP87050下的高速 N 沟道功率 MOSFET
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2018-05-25
刘满贵
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特性
• 低漏 - 源极导通电阻（RDS（ON））
• 低栅极总电荷（QG）和栅 - 漏极电荷（QGD）
• 低串联栅极电阻（RG）
• 快速开关
• 能够进行短暂死区操作
• 符合 RoHS 标准
应用
• 负载点直流－直流转换器
• 服务器、网络和汽车应用中的高效率电源管理
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