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如何使用模数转换器来实现偏置电压控制的详细中文资料概述

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.29 MB | 2018-05-25

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  LDMOS 晶体管为 CMOS 器件,用于高频和高功率的应用。这些器件广泛应用于 RF 功率放大器应用,例如 GSM 和 CDMA 移动电话基站、雷达、CATV 和便携式无线设备。这些器件在工作时由于热载流子注射效应而在漏-栅区域聚集电荷,导致在施加固定栅极偏置电压(VGS)时,其静态电流(IDQ)会随温度变化而产生显著漂移。

  IDQ 随栅极偏置电压和温度变化而成比例变化。为保持具有最大输出功率同时具有良好的线性度,需要在整个工作温度范围内保持 IDQ 处于恒定值。为达到此目标,栅极偏置电压需要在工作时进行调整,以补偿温度变化产生的影响。

  对于基站功放模块 (power amplifier module, PAM)应用,工程师通常在电路中选用模数转换器(Digital-toAnalog Converter, DAC)来实现偏置电压控制。在实际应用中,偏置电压控制电路使 IDQ 稳定在 ±4% 变化范围内。本应用笔记介绍了如何使用模数转换器来实现偏置电压控制。

如何使用模数转换器来实现偏置电压控制的详细中文资料概述

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