如何辨别军用半导体器件型号和标志

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描述

  美国半导体分立器件型号命名方法

  美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

  第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

  第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

  第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

  第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

  第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

 

  如何辨别军用半导体器件型号和标志

  在美国军用标准中,半导体器件包括二极管,三极管,光藕等分立器件。其军用产品型号和标志,按美军标准MIL-PRF-19500N《半导体器件总规范》(2005年发布)1.3条规定如下:

  半导体器件

  1.1、前缀

  此前缀用于表示军用产品质量等级。对于已密封器件和未密封器件(即芯片)的质量等级及其相应标志规定如下:

  1.1.1、密封器件的质量等级和标志

  密封器件的质量等级如上述”QQQ”所示, 质量等级从低到高顺序如下:JAN、JANTX、JANTXV、JANJ 和JANS。

  JANS是适用于空间用途的等级,我们常称之为宇航级。

  JAN、JANTX、JANTXV、JANJ是高可靠军用等级,以前的标准中,曾这样描述:

  半导体器件

  1.1.2未密封器件即芯片的质量等级和标志

  未密封器件的质量等级如上述”QC”所述,质量等级从低到高顺序如下:

  JANKC.

  JANHC---适用于标准军事用途

  JANKC---适用于空间(宇航)用途

  上述”QCW”中的”W”表示此类产品—芯片,必须将适用的等级标志符,标志在包装盒的适当位置上。

  1.1.3 JAN和J标志

  按MIL—PRF—19500N 3.10.6.1条规定,当器件打印标志的位置较小时,“JAN”标志可以简化为“J”。这二个标志都是向联邦政府注册的,“JAN”的注册号为:504860;“J”的注册号为:1586261。

  因此,当器件管壳较小时,军用产品质量等级可以标志如下缩写前缀:

  半导体器件

  1.2 辐射加固保证(RHA)等级

  RHA等级采用一个字母表示,其等级从低到高顺序为:M,D,P,L,R,F,G和H。

  1.3 器件类型

  半导体器件的标志符用“XN”表示,其中“X”用一个数字表示,它比器件有源电极终端(引出端)数目少一,例如,二极管用“1N”表示,三极管用“2N”表示。

  1.4 识别号

  一般由美国电子工业联盟(EIA)推荐,每一种半导体器件都有一个指定的识别号,这个识别号由数字组成,例如:

  二极管1N457,其中“457”为该产品的识别号;

  三极管2N2222,其中“2222”为该产品的识别号;

  光藕4N22,其中“22”为该产品的识别号;

  军用产品的识别号与制造厂普通产品(不是军用产品)识别号是一致的。

  不同识别号的产品,其封装形式和电性能不同。

  1.5 后缀

  如适用,后缀字母将包含在军用半导体器件型号中,这些字母的含义如下:

  A或B或C---(L,M,R,S,U,P除外)表示改进型的器件,它可取代只有识别号(不带此后缀字母)的器件。

  M---表示对单个器件的规定参数进行配对。

  R---表示对原有识别号器件进行反极性封装。

  L或S---表示比原有识别号器件引出线长或短,L—表示较长,S--表示较短。

  P---表示经颗粒碰撞噪声检测(PIND)筛选的器件(仅对于JANTX和JANTXV等级)。

  U---表示无铅或表面封装器件,不同封装形式还可能包含一个字符,例如以下的UR,US。

  UR---表示无铅或表面封装器件,(图形终端帽二极管)。

  US---表示无铅或表面封装器件,(方型终端帽二极管)。

  -1 表示金属化连接(金属化罩)

  以上后缀如被采用,除“P”之外,将被标志在器件上。

  1.6 器件的替代

  根据MIL—PRF—19500N 1.3.8条规定,较高产品质量等级的产品可以代替相同型号器件质量等级较低的产品;电性能较优的产品可以代替电性能较差的相同型号的产品(祥见1.3.8条)。产品用作替代使用时应保留该产品原有的标志,替代说明和该批产品数据资料,以便保持可追踪性。

  1.7 静电放电敏感(ESD)等级

  根据MIL—PRF—19500N 3.10.3.1条规定,现行产品中,ESD分为三个等级:

  1级 0------------1999V △/▲用一个空心或实心等边三角形标志,同时作为第一条引出线/引出端的标志。

  2级 2000--------3999V △△/▲▲用两个空心或实心等边三角形标志,同时作为第一条引出线/引出端的标志。

  3级 4000--------15999V 无标志。

  不敏感(NS) 大于15999V 无标志。

  2.QML-19500简介

  QML-19500是美国防部正式发布的军用半导体器件数据报告,报告中列出了至该文件发布日期为止,所有按照MIL—PRF—19500《半导体器件总规范》要求鉴定合格,并批准的军用半导体器件型号。因此,这个“数据报告”我们也可以称之为“美国军用半导体器件一览表”,用户在选择,采购某一识别号,某一质量等级的半导体器件时,可从“一览表”查证是否有该型号的产品。现对QML-19500-31(2007发布)“军用半导体器件数据报告”表格中各栏目说明如下:

  2.1 GOVERNMENT TYPE DESIGNATION

  政府型号标志,即国防部确认的军用半导体器件型号,在表中产品型号前面有不同标志符,这些标志符含义如下:

  半导体器件

  另外,在表格最后,有“ M19500/--- ”的产品型号,“M19500/---”是美国军用半导体器件编号,每一个军用半导体器件型号都有一对应的“M19500/--- ”的编号,一般这个编号作为国防部内部管理用。市场上流通的绝大部分采用带有军用质量等级如JAN前缀的产品型号。表中列出的一些M19500/--- 型号,估计这些型号没有相应的制造厂型号,因此,直接列入M19500/--- 编号。由于市场流通很少,我们没有深入查证。

  2.2 ESD CLASS

  静电放电敏感(ESD)等级,既俗称防静电等级。表中“NS”表示该型号产品对静电放电不敏感。“1”/“2”/“3”分别表示ESD 1级或2级或3极。

  2.3 MANUFACTURER’S DESIGNATING SYMBOL

  制造厂符号,被批准的制造厂的地址是不能变更的。

  2.4 TEST OR QUALIFICATION REFERENCE

  试验或鉴定标准(编号)。

  2.5 PRF SPEC SHEET

  性能详细规范(编号)。

  2.6 CERIFICATION STATUS

  批准状况。在表中用以下字母表示该产品型号合格制造厂(QML)获得批准的状况:

  半导体器件

  2.7.1 MFR CAGE

  制造厂代码。产品制造厂代码见本文2.7.3条的附表。

  2.7.2 SUPPLIER′S NAME (MFR OR PLANT)

  供应商名字(制造商或工厂)

  2.7.3 合格制造厂名称,符号,代码一览表

  由于美国产品销售管理体制原因,制造商(或工厂)不直接对外销售产品,通过供应商销售,因此表中列出的制造商(或工厂)名称与供应商可能不一致。QML—19500的最后面列出了制造厂名称,符号,代码,地址,联系方式。

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