Custom MMIC公司推出多款超低噪声放大器

Custom MMIC公司推出多款超低噪声放大器

美国Custom MMIC公司在宾夕法尼亚州费城举行的2018年国际微波研讨会（IMS）上讨论了几项新的GaN和GaAs 单片微博集成电路（MMIC）技术突破。公司表示采用业界首款超低噪声放大器（ULNA）MMIC打破了MMIC形式的噪声障碍。

Custom MMIC公司表示，他们推出了业界首款超低噪声放大器（ULNA）MMIC，打破了MMIC内的噪音障碍。CMD283C3型号MMIC提供0.6 dB的噪声系数，优于所有其他LNA MMIC，并能与分立元件相媲美。它工作频率范围为2 GHz至6 GHz（S＆C频段），输出IP3为+26 dBm。

新型GaAs MMIC数字衰减器系列的也有四款产品。CMD279和CMD280为5位衰减器运行频率高达30 GHz，衰减范围高达15.5 dB。另两个为2位衰减器，即DC-35 GHz CMD281和DC-40 GHz CMD282，分别以2dB和4 dB步长提供较粗略的控制。所有四款器件都提供+ 42 dBm的输入IP3。

最新的分布式放大器DC-20 GHz CMD249P5提供正增益斜率，标称12 dB增益。 GaAs器件具有+ 30 dBm的输出Psat和+38 dBm的输出IP3。

Custom MMIC也在增强其低相位噪声放大器（LPNA）系列。响应客户的要求以协助减少不需要的相位噪声并提高军用雷达系统中的信号完整性和目标采集能力，这些LPNA工作频率高达40 GHz，在10 kHz偏移时提供低至-165 dBc / Hz的低相位噪声性能。它们用作各种相控阵雷达、电子战、军事无线电、仪器仪表和航空航天通信设计中的本地振荡器（LO）驱动器或接收机放大器。

来自Custom MMIC公司的MMIC包括更多的超低噪声放大器和数字衰减器，以及宽带分布式功率放大器和GaN混频器。

日本Integra公司在IMS 2018上展示新型GaN/SiC器件

日本Integra Technologies公司在宾夕法尼亚州费城举办的今年国际微波研讨会上展示几种新型GaN / SiC射频功率器件，瞄准C波段和L波段系统

IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空电子系统的50ΩGaN / SiC射频功率模块，可在0.960 - 1.215 GHz的瞬时带宽内工作。该集成放大器模块在2.5ms脉冲宽度和20％占空比的条件下提供至少1000 W的峰值脉冲功率，同时提供高热稳定性。

IGT5259L50是一款50欧姆的GaN / SiC晶体管，在脉冲C波段雷达应用中提供5W至5GHz的50W功率。

IGN1214L500B是一款高功率GaN / SiC HEMT晶体管，在1.2 - 1.4 GHz时提供500 W功率，并提供50 V漏极偏压，15.5 dB增益和65％效率。该晶体管专为长脉冲L波段雷达应用而设计。