Intel i3-8121U曝光,采用10nm工艺,晶体管密度超过每平方毫米1亿个,高于三星7nm的水平

工程师吴畏 发表于 2018-06-19 11:03:00 收藏 已收藏
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Intel i3-8121U曝光,采用10nm工艺,晶体管密度超过每平方毫米1亿个,高于三星7nm的水平

工程师吴畏 发表于 2018-06-19 11:03:00

Intel 10nm工艺因为良品率不达标,大规模量产已经推迟到2019年,眼下只是小批量出货,产品已知的只有一款15W热设计功耗的低压版Core i3-8121U(家族代号Cannon Lake),而且只有联想在用。

i3-8121U的规格为双核心四线程,主频2.2-3.2GHz,三级缓存4MB,内存支持双通道DDR4/LPDDR4-2400 32GB,热设计功耗15W。

核显部分信息未公布,应当是因为良率问题屏蔽禁用了,所以联想才增加了一块AMD独立显卡。

Intel i3-8121U曝光,采用10nm工艺,晶体管密度超过每平方毫米1亿个,高于三星7nm的水平

德国硬件媒体ComputeBase公开了i3-8121U的第一张“果照”,可以看到封装布局与此前产品基本一致,仍是一颗处理器核心、一颗芯片组核心封装在一起,BGA整合封装方式焊接在主板上。

Intel i3-8121U曝光,采用10nm工艺,晶体管密度超过每平方毫米1亿个,高于三星7nm的水平

我们又找到了一张Intel官方给出的八代酷睿低压版照片,可以发现处理器、芯片组核心都变小了,封装焊点和电容元件也发生了很大变化,应该是不再兼容。

Intel i3-8121U曝光,采用10nm工艺,晶体管密度超过每平方毫米1亿个,高于三星7nm的水平

ComputeBase测量后发现,i3-8121U的整体封装尺寸为45×24毫米(和官方指标一致),其中处理器部分面积大约71平方毫米,芯片组部分大约47平方毫米。

尽管根据研究发现,Intel 10nm工艺的晶体管密度超过了每平方毫米1亿个,相当于甚至高于三星、台积电、GlobalFoundries 7nm的水平,但是对比自家14nm产品,变化似乎并不大。

要知道,Intel第一代14nm Broadwell-U的处理器部分面积也不过82平方毫米,10nm只是缩小了13%而已,而且大家都是双核心四线程,都是4MB三级缓存,只是核显执行单元从24个增加到40个,并支持AVX512指令集。

另外,45×24毫米的整体封装,也比目前14nm低压版的42×24毫米略微大了一点。

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