耐威科技聚能晶源项目落地青岛

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集微网消息,7月5日,耐威科技发布公告,耐威科技与青岛市即墨区人民政府(以下简称“青岛即墨”)、青岛城市建设投资(集团)有限责任公司(以下简称“青岛城投”)在 2018 年国际集成电路产业投资(青岛)峰会上签署《合作框架协议书》。

据悉,耐威科技将聚能晶源项目落地于青岛市即墨区,该项目团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验,拥有该亟待爆发行业的核心竞争力,致力于为面向新一代功率与微波系统应用,成为面对低成本,高频大功率应用的 8 寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商,助力青岛占领第三代半导体行业发展制高点。

青岛城投拟通过青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙)出资参与聚能晶源项目。青岛即墨为青岛市即墨区的行政主管单位。具体合作内容如下:

(1)为帮助和尽快形成产能,占领国内第三代半导体材料市场份额,青岛即墨同意与聚能晶源另行签署正式项目合作协议,为聚能晶源提供一系列项目支持,如设备补贴、装修补贴、办公场所与厂方支持、税收奖励等。

(2)为支持聚能晶源吸纳骨干尖端人才,各方互相协助使得聚能晶源为本项目引进的优秀人才切实享受到青岛市、区等各项人才优惠政策。

(3)聚能晶源预计本项目投资总额不少于约 2 亿元人民币:2018 年年底前投资总额不低于 5000 万元人民币,2020 年底前投资总额不低于 1.5 亿元人民币。

(4)聚能晶源未来产品线将覆盖功率与微波器件应用,打造世界级氮化镓(GaN)材料公司,项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓(GaN)外延片,以及面向微波器件应用的氮化镓(GaN)外延片等。

耐威科技表示,此次公司与青岛即墨、青岛城投就控股子公司聚能晶源相关项目的投资、落地情况达成紧密合作,有利于公司加快第三代半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产进度,有利于公司把握产业发展机遇,尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用,有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局,提高公司的综合竞争实力,将对公司的长远发展产生积极影响。

据耐威科技2018年5月24日公告披露,公司拟与袁理先生、青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙)、青岛民芯投资中心(有限合伙)共同投资设立控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司及控股子公司聚能晶源。

其中公司拟使用自有资金1,050万元(分期投入)投资聚能创芯,持有其35%的股权;公司拟使用自有资金2,000万元(分期投入)投资聚能晶源,持有其40%的股权。

耐威科技表示,聚能晶源主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产,目的在于依托专业团队优势,联合产业资源,积极布局并把握宽禁带化合物半导体材料(即第三代半导体材料)产业的发展机遇,聚焦相关材料在航空电子、5G 通信、物联网等领域的应用,完善并丰富公司产业链。

资料显示,第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

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