Micro LED技术待突破,台湾发展环境相对成熟有望成为产业练兵场

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Micro LED 被视为可能颠覆产业的新一代显示技术,不过,目前 Micro LED 在技术方案上还未取得突破,成本是关键之一,初期可能先从超大尺寸的 100 吋以上高阶屏幕应用开始发展,随着各种转移方案陆续问世,未来将有更具成本竞争力的技术方案出现,而***发展 Micro LED 环境相对成熟,可望成为产业练兵场所。

集邦认为Micro LED可能从超大尺寸的100吋以上高阶屏幕应用开始发展。

Micro LED 为新一代显示技术,结构是微型化 LED 数组,也就是将 LED 结构设计进行薄膜化、微小化与数组化,使其体积约为目前主流 LED 大小的 1%,每一个画素都能寻址、单独驱动发光,将画素点的距离由原本的毫米级降到微米级。

承继了 LED 的特性, Micro LED 优点包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等,其功率消耗量约为 LCD 的 10%、OLED 的 50%。而与同样是自发光显示的 OLED 相较之下,亮度比其高 30 倍,且分辨率可达 1500 PPI(像素密度),相当于 Apple Watch 采用 OLED 面板达到 300 PPI 的 5 倍之多。

目前 Micro LED 在技术寿命、对比度、能耗、反应时间与可视角等,均胜过 LCD 和 OLED,龙头厂商如 Apple、Sony 与三星等早已积极布局,鸿海更砸重金打造 Micro LED 全产业链,均有助推进 Micro LED 商业化进程。

不过,由于目前 Micro LED 在关键技术与设备上还未取得突破,被视为过渡性产品、技术难度相对较低的 Mini LED 成为当红炸子鸡,许多企业相继投入研发,包括芯片厂晶电 (2448-TW)、隆达 (3698-TW),封装厂亿光 (2393-TW)、荣创 (3437-TW) 与宏齐 (6168-TW),及面板厂群创 (3481-TW) 与友达 (2409-TW) 等台厂相继插旗。

研调机构集邦科技旗下 LEDinside 研究协理储于超指出,目前 Micro LED 面临的技术瓶颈包括磊晶与芯片、转移、全彩化、电源驱动、背板及检测与修复技术等六大面向,在关键的转移技术环节,随着各种转移方案陆续问世,可预期未来还会有更具成本竞争力的技术方案出现,将有机会加速 Micro LED 开发进程。

除技术外,成本也是关键挑战之一。储于超表示,所有技术一定有解决方案,但 Micro LED 如何在技术与成本间取得平衡,将是未来的关键。另一方面,如何提升生产过程的良率、减少修复成本也是重点之一。他并认为,***发展 Micro LED 环境相对成熟,未来将成为产业练兵场所,是***产业发展的机会。

三星、Sony、友达等大厂今年均已展示 Micro LED 相关概念性产品,储于超认为,Micro LED 可能从超大尺寸的 100 吋以上高阶屏幕应用开始发展,待技术成熟后,成本将可逐步缩减,但要进入主流规格,得视各家厂商成本下降的速度,约需 3 年左右时间,至于 Micro LED 导入 AR 投影方案已有许多示范品出现,时程可能相对较快。

以商用化时程来说,AR 投影方案可望于明年出现,电视屏幕则是 2020 年,应用于智能型手表可望于 2021 年量产,至于走入车用电子、手机与平板等领域,可能要等到 2022 年以后了。据 LEDinside 最新报告,预估至 2022 年 Micro LED 与 Mini LED 市场产值将达到 13.8 亿美元,其中 6.94 亿美元将由 Micro LED 贡献。

Micro LED 所牵涉的产业广泛,包含精密机械、半导体制程、测试与检修等,巨量转移技术也仍有待突破, 虽短期内无法达到量产水平,但龙头厂商积极参与研发 Micro LED,部分技术已得到一定进展,预期今年下半年就可见到高阶产品量产。

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