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0.15M GaN芯片系列的非线性和噪声建模的详细资料概述
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2018-07-25
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介绍
0.15μm器件技术
表征和建模方法
0.15μm器件噪声模型
0.15μm大信号模型
总结
• GaN在高功率应用中有许多设计优势，也对LNA有用。
• 减少的栅极长度过程，例如0.15UM，已经出现以解决更高的频率（例如，10 GHz）。
• 本讲座将聚焦于开发一个0.15μm的GaN芯片的先进模型以解决低噪声和高功率应用。
QoVO的生产释放QGaN15工艺利用AlGaN/GaN外延层生长在高导热SiC衬底上。
直流ID最大值为1.15 A/mm，直流GM最大值为425毫秒/毫米，截止电压为-3.1V，VDS为10V。
栅极到漏极器件击穿电压超过75伏，在ID＝1mA/mm和VGS＝-60V下测量，FT为32 GHz，fMAX为160 GHz。
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