紫光国微加大投入DRAM存储器芯片，年底将推向市场

国产内存制造商紫光国微在深交所互动平台上表示，目前国产DDR4内存芯片正在顺利研发中，紫光国微预计今年底就可以将DDR4内存颗粒推向市场。

之前紫光国微副总裁杜林虎已经表示，未来紫光国微会在DRAM存储器芯片产品方面加大投入，对于公司来说，DDR3内存芯片是主流，而DDR4芯片会在年内完成设计和生产。

紫光DDR4内存采用DIMM（U－DIMM）和SO－DIMM开发。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C－21P”、“SCQ04GE03AF1C－21P”，SO－DIMM的2个型号为“SCQ04GS03AF1C－21P”、“SCQ08GS13AF1C－21P”。