MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

1.1 VGS_th栅源阈值电压

Ø NXP:BUK7510-55AL:

Ø IRF 3305:

Ø 英飞凌:IPP 80 n06s2-05

1.2 与最大栅极限电压进行比较

下表给出了V的计算。-GATE Vbat = 16V，不同温度:

	Vbat = 16 V
		VGATE	正常时	堵转时
		TYP	最大	估计Tj
	-40°C	70	84	14°C	16°C
	25°C	1、48	1,59	79°C	81°C
	100°C	1、14	1、22	154°C	156°C

Ø NXP:BUK7510-55AL:

Ø IRF 3305:

Ø 英飞凌:IPP 80 n06s2-05

结论:

VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例已经选得很好。