1.1 SOA:安全操作区域
1.1.1 定义:
由于功率mosfet是晶体管,可用于线性和/或开关操作
在汽车环境中,它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性级别,就有必要定义这种强大的功能(多亏了SOA)。
一般来说,功率越大,晶元尺寸越大(价格越高)。
Ø NXP:BUK7510-55AL:
图4:安全工作区(BUK7510-55AL)
Ø IRF 3305:
图5:安全工作区(IRF 3305)
Ø 英飞凌:IPP 80 n06s2-05
图6:安全工作区(IPP 80N06S2-05)
备注:
期望英飞凌MOSFET的SOA中的直流曲线
结论:
从理论上讲,新SOA比旧SOA更好。但是,只要这些SOA没有特征(仅从基本模型计算),就不可能排除观察热不稳定性的可能性。
1.2 雪崩能量
1.2.1 定义:
当MOSFET驱动大电流通过感应负载时,突然关闭,然后漏到源电压增加,直到击穿电压达到,从而将储存在感应负载中的能量降低,就会发生雪崩现象。
注:在雪崩现象中,MOSFET可以被所谓的“能量失效”或“电流失效”摧毁,这对应于第二次击穿。
Ø NXP:BUK7510-55AL:
图4:雪崩能量(BUK7510-55AL)
Ø IRF 3305:
图5:雪崩能量(IRF 3305)
Ø 英飞凌:IPP 80 n06s2-05
图6:雪崩能量(IPP 80N06S2-05)
1.2.2 结论:
等待雪崩测试
1.3 MOSFET热保护试验期间的雪崩试验
1.3.1 测试的定义
为了快速关闭MOSFET,我们在这里使用模块本身的热保护。因此,该模块是在Vbat供电全速要求,没有空气冷却。在这种情况下,几秒钟后模块激活热保护并关闭MOSFET。漏源至源电压在此阶段进行监控。
Ø NXP:BUK7510-55AL:
Ø IRF 3305:
Ø 英飞凌:IPP 80 n06s2-05
1.3.2 结论:
等待雪崩测试
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