三星宣布完成了7nm EUV工艺的技术流程开发以及产线部署进入量产阶段

今天三星公司将会举行Samsung Tech Day，其中宣布的重点包括了7nm EUV工艺、SmartSSD（FPGA SSD）、数据中心的QLC-SSD、256GB 3DS  RDIMM内存，那么与我们关系最密切的莫过于7nm EUV工艺量产，三星表示7nm LPP对比现有的10nm FinFET工艺，可以实现提升40%面积能效、性能增加20%、功耗降低50%目标。

目前纳米工艺推进遇到了极限问题，主要是由制造设备带来，具体来说就是光刻机的分辨率制约，想要刻画出精细、只有数纳米宽度线条，对于光源聚集性能要求非常高。分辨率越高，刻画的线条越精细越清晰。

但凡是光源总会有衍射问题，想要克服衍射问题，就必须使用波长越短的光来刻画晶体管掩模。

很久以前用的是Hg光源，100-80nm工艺以后开始使用248nm的KrF光源，此后一直使用193nm的ArF光源，不过对于7nm以下工艺来说，需要用到全新的EUV光源，波长可以下降到只有13nm长，这被视为7nm工艺的重要技术组成部分。

目前三星宣布已经完成了整套7nm EUV工艺的技术流程开发以及产线部署，进入了可量产阶段。三星表示7nm LPP工艺可以减少20%的光学掩模流程，整个制造过程更加简单了，节省了时间和金钱，又可以实现40%面积能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目标。

因此7nm EUV工艺才是半导体制造关键性节点，绝大部分半导体厂商都将会在此工艺上停留非常长的时间（喜欢改名字另当别论），往后5nm、3nm工艺攻坚难度更加大了，遇到是半导体材料物理极限，而非光源极限问题那么“简单”。

三星还说7nm LPP工艺将会在韩国华城的S3工厂展开，2020年前再新开一条产线生产相关芯片，满足市场所需。你猜哪一家产品会率先用上7nm EUV工艺？