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半导体制造教程之工艺晶体的生长资料概述
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2018-11-19
东西芯城
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本文档的主要内容详细介绍的是半导体制造教程之工艺晶体的生长资料概述
一、衬底材料的类型
1.元素半导体 Si、Ge…。
2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN…
二、对衬底材料的要求
导电类型：N型与P型都易制备；
电阻率：0.01-105·cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）；
寿命（少数载流子）：晶体管—长寿命； 开关器件—短寿命；
晶格完整性：低位错（《1000个/cm2）；
纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质；
晶向：Si：双极器件--《111》；MOS--《100》；
直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。
Si：
含量丰富，占地壳重量25%；
单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm）
氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料；
易于实现平面工艺技术；
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