场效应管AO4354的特征

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
　　特点
　　与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
　　场效应管AO4354 概述
　　最新的Trench Power AlphaMos（阿摩司LV）技术非常低的RDS（on）在4.5VASLow Gate Charge大电流能力ROHS和无卤顺应性应用1.Raua值是在Ta=25°C的窗台空气环境下用20Z铜安装在1in2FR-4板上的装置测量的。在任何给定的应用中，Raua值取决于用户的规格板设计。
　　2.功率损耗P基于Twx-150”C，采用10s结晶-环境热阻。
　　3.重复额定脉冲宽度受结温Tpax-150°C限制。额定值基于低频和占空比电路以保持初始Tj;=25℃。
　　4、最新Trench Power AlphaMOS（α-MOS LV）技术4.5 VGS极低RDS（ON）5、Low Gate Charge6、高电流能力
　　7、RoHS和无卤顺应性
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