美国SSDI推出GaN FET 用于航空航天及电力电子系统

发表于 2018-12-07 15:56:40 收藏 已收藏
赞(0) •  评论(0

美国SSDI推出GaN FET 用于航空航天及电力电子系统

发表于 2018-12-07 15:56:40
+关注

美国固态设备公司(SSDI)推出用于航空航天和国防用高压氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。

SGF46E70系列是46A、700V,可选TO-254通孔封装和SMD1表贴封装。SGF15E100是15A、1000V,采用TO-257封装。两个系列均是结合了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动器的共源共栅器件。

GaN产品以其改进的品质因数(RDS(ON)x QG)而闻名,与传统硅MOSFET相比,可提供更快的开关速度。低压、非密封GaN器件广泛用于商业应用,但SSDI专注于高功率、高压航空航天和国防应用的密封解决方案。

收藏

相关话题

评论(0)

加载更多评论

参与评论

分享到

QQ空间 QQ好友 微博
取消