3纳米将成台积电与三星下个重要决胜工艺

发表于 2019-01-19 10:22:48 收藏 已收藏
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3纳米将成台积电与三星下个重要决胜工艺

发表于 2019-01-19 10:22:48
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2018年下半,包括GlobalFoundries、联电、中芯国际等主要全球晶圆代工厂相继宣布退出10纳米及其以下先进工艺研发竞赛行列,相较之下,台积电与Samsung Foundry(以下简称三星)不仅将7纳米工艺先后导入量产,由二家公司技术蓝图比较,未来朝5纳米与3纳米工艺前进,DIGITIMES Research预估,3纳米将成台积电与三星下个重要决胜工艺。

台积电认为在人工智能(AI)与5G带动下,将驱动包括Mobile、HPC、IoT、Automotive等四大技术平台持续成长,这也将成为未来台积电营收年成长5~10%的重要动能。为在这四大技术平台取得优势,台积电除规划将Mobile、HPC、Automotive核心运算芯片工艺往16FFC/12FFC、N7/N7+,乃至2020年上半才导入量产的5纳米工艺集中,更将各工艺加以优化,创造出多个平台,并协助客户升级,一方面满足客户需求,另一方面则是设下技术障碍,让竞争者难以进入。

除依循摩尔定律,持续在微缩工艺技术投入研发外,三星亦在全空乏绝缘上覆硅(Fully Depleted Silicon On Insulator;FD-SOI)工艺多所着墨。三星规划于2020年推出18纳米FD-SOI工艺的18FDS+RF/eMRAM整合平台,目标锁定以超低功耗与及时上市(time to market)为产品诉求的IoT与MCU市场,包括GlobalFoundries、联电、中芯国际等晶圆代工厂于这些市场竞争将面临许多挑战。

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