三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

据消息，作为先进存储器技术的全球领导者，三星电子今（21）日宣布第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。

随着10纳米成为业界最小的存储器工艺节点，三星现在已准备好应对日益增长的市场需求，新的DDR4 DRAM与之前的1Y纳米级版本相比，制造生产率提高了20％以上。

10纳米级 8Gb DDR4的批量生产将在今年下半年开始，以适应下一代企业服务器和预计将于2020年推出的高端PC。

“我们致力于突破技术面临的最大挑战，以便推动我们实现更大的创新。我们很高兴为稳定生产下一代DRAM奠定了基础，确保了性能和能效的最大化。”三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee说。“随着我们建立10纳米级 DRAM阵容，三星的目标是支持其全球客户部署尖端系统并推动高端内存市场的增长。”

三星开发的10纳米级 DRAM为加速全球IT向下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的过渡铺平了道路，这些接口将为未来的数字创新提供动力。随后具有更高容量和性能的10纳米级产品将使三星能够增强其业务竞争力，巩固其在高端DRAM市场中的领导地位，用于包括服务器，图形和移动设备在内的应用。

在与一家CPU制造商对8 GB DDR4模块进行全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将推出的内存解决方案。

根据当前的行业需求，三星计划在其Pyeongtaek网站增加主要内存产量的比重，同时与其全球IT客户合作，以满足对最先进的DRAM产品不断增长的需求。