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微电子器件教程之PN结的详细资料说明

消耗积分:0 | 格式:ppt | 大小:0.52 MB | 2019-04-17

ah此生不换

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  PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。

  分析方法:将 PN 结分为 4 个区,在每个区中分别对半导体器件基本方程进行简化和求解。

  突变结:P 区与 N 区的杂质浓度都是均匀的,杂质浓度在冶金结面(x = 0)处发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时,称为 单边突变结,分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。

  线性缓变结:冶金结面两侧的杂质浓度随距离作线性变化,杂质浓度梯度 a 为常数。

  PN 结的平衡状态

  平衡状态:PN 结内部的温度均匀稳定,不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。

  本节将介绍 PN 结 空间电荷区的形成,PN 结的 内建电场、内建电势,及平衡时的 PN 结 空间电荷区宽度。

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