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FDH45N50F 500V N沟道晶体管的数据手册免费下载

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:1.11 MB | 2019-04-18

aattjj

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  这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产的。

  这种先进的技术已经特别定制,以尽量减少通态电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率的开关电源和有源功率因数校正。

  特征

  45A,500V,rds(开)=0.12Ω@vgs=10 V

  低栅极电荷(典型105 NC)

  低CRS(典型62 pf)

  快速切换

  100%雪崩试验

  提高了dv/dt能力

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