台积电PK三星 6纳米制程明年首季试产

台积电4月16日晚宣布，推出6纳米（N6）制程技术，大幅强化7纳米（N7）技术。据其日前宣布5纳米已进入试产，台积电无疑越接近摩尔定律的极限。每隔一纳米，都要在7、6、5纳米制程一路通吃。值得注意的是，其主要竞争对手三星也在日前宣布完成5纳米EUV工艺研发，并已送样给客户，双雄竞争不相上下。

三星电子(Samsung Electronics)全面释出7、6、5纳米制程进度，台积电也罕见宣布从未曝光的6纳米制程技术计画。三星应暂不会对台积电有所威胁，但可能会再次形成客户挟转单三星威胁，要求台积电代工费降价情势。

三星电子16日大动作宣布最新制程推进计划，不仅已完成5纳米FinFET制程技术研发，首款6纳米芯片亦已完成设计定案(tape out)。

台积电表示，为了协助客户在效能与成本之间取得高度竞争力的优势，同时借由N7技术设计的直接转移而达到加速产品上市目标。借由目前试产中的7纳米强效版使用极紫外光（EUV）微影技术所获得的新能力，N6技术的逻辑密度较N7技术增加18%，同时，N6技术的设计法则则与N7完全相容，使得7纳米完备的设计生态系统能够被再使用。

台积电指出，N6技术预计于2020年第一季进入试产，提供客户更多具有成本效益的优势，并延续7纳米家族在功耗及效能上的领先地位，支援多样化的产品应用，包括高端到中端移动产品、消费性应用、人工智能、网通、5G基础架构、绘图芯片GPU以及高效能运算。

台积电业务开发副总精力张晓强指出，N6技术会比目前N7技术进一步延续领先地位，提供客户更高的效能与成本效益。

2019年台积电预计提供约1200万片12寸约当晶圆的年产能，全面覆盖大于0.5微米制程至最先进的7纳米工艺制程。

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