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51单片机的场效应晶体管详细资料说明
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2019-04-23
吴藩
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晶体管是依靠输入电流变化来控制输出电流的器件，但理想的放大器是不应该损耗信号源的输出电流的，所以在一个由晶体管构成的放大电路中，因为有基极电流的存在，不可避免地会对输入信号带来损耗。与晶体管不同的是，场效应晶体管（FET）是一种用电压来控制电流的器件，具有很高的输入阻抗，且温度稳定性好、噪声低。按照结构的不同，场效应晶体管可以分为以下两类：
1. 结型场效应晶体管（JFET）
N型沟道结型场效应晶体管
P型沟道结型场效应晶体管
2. 绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）
增强型MOS场效应晶体管（N沟道、P沟道）
耗尽型MOS场效应晶体管（N沟道、P沟道）
绝缘栅型场效应晶体管在实际应用中多见增强型MOS管，N型沟道的简称为“NMOS”，P型沟道的简称为“PMOS”，绝缘栅型场效应晶体管的外观如图所示。
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