SiC热潮来袭!科锐投资10亿美元扩产SiC

科锐宣布投资10亿美元扩产SiC碳化硅。据说这是Cree有史以来最大的生产投资，将为Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）业务提供动能。先进的制造园区，将加速从Si硅向SiC碳化硅的产业转型，满足EV电动汽车和5G市场需求。

·此次产能扩大，将带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和SiC碳化硅材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长

·5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂

·投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入

▲ Cree North Fab

2019年5月7日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是，现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天，我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资，将大幅地提升供应，帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入，将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度（也就是我们开始扩大产能的第一阶段）相比较，能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施，作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂，迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂，其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍，刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示：“这些SiC碳化硅制造超级工厂，将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案，帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间，同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资，也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具，我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab，并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会，并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目，为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。（来源：Cree科锐）

除了科锐外，他们都在发力Sic

据EE Times消息，不久前，意法半导体在其意大利卡塔尼亚工厂概述了大力发展碳化硅（SiC）业务，并将其作为战略和收入的关键部分的计划。在ST最近的季度和年度业绩发布会上，ST总裁兼首席技术官Jean-Marc Chery多次重申了占据在2025年预计即将达到37亿美元SiC市场30%份额的计划。

由于SiC具有高耐压、低损耗、高效率等特性，可以让功率器件突破硅的限制，带来更好的导电性和电力性能。这些特性的提高，正与目前市场上热门的汽车电子、工业自动化以及新能源等领域的需求相契合。因而，各大厂商纷纷在SiC上展开了布局，Sic竞争也日趋白热化。

罗姆在早前发布新闻稿宣称，将扩增使用于电动车(EV)等用途的碳化硅(SiC)电源控制芯片产能，将在旗下生产子公司「ROHM Apollo」的筑后工厂(福冈县)内兴建新厂房，预计于2019年2月动工、2020年12月完工。

此外，罗姆于SiC电源控制芯片事业策略说明会上表示，将投资约200亿日圆，于2020年倍增SiC电源控制芯片产能，而罗姆也考虑于宫崎县进行增产投资，在2025年3月底前累计将投资600亿日圆，届时将SiC电源控制芯片产能大幅扩增至2016年度16倍。

日本昭和电工也多次发表了产能扩充声明。该公司之前分别于2017年9月、2018年1月宣布增产SiC晶圆，不过因SiC制电源控制晶片市场急速成长、为了因应来自顾客端旺盛的需求，因此决定对SiC晶圆进行第3度的增产投资。昭和电工SiC晶圆月产能甫于2018年4月从3,000片提高至5,000片(第1次增产)，且将在今年9月进一步提高至7,000片(第2次增产)，而进行第3度增产投资后，将在2019年2月扩增至9,000片的水准、达现行(5,000片)的1.8倍。

除了晶圆供应商扩产，下游的代工厂也在加速布局，迎接即将爆发的SiC热潮。

X-Fab在去年九月宣布，计划将其位于德克萨斯州6英寸SiC工艺工厂产能翻番，以满足客户对高效功率半导体器件日益增长的需求。为了使容量翻倍，X-Fab 德州工厂购买了第二台加热离子注入机，用于制造6英寸SiC晶圆。预计到在2019年第一季度及时生产，以满足预计的近期需求。

X-Fab德州工厂的Lloyd Whetzel说：“随着SiC的日益普及，我们早就明白，提高离子注入能力是我们在SiC市场上的持续制造成功的关键。但这只是我们针对特定SiC制造工艺改进的总体资本计划的第一步。这体现了X-Fab对SiC行业的承诺，并保持我们在SiC铸造业务中的领导地位。”

来自我国***地区的晶圆代工厂汉磊在去年八月也宣布，决定扩大碳化硅（SiC）产能，董事会决议斥资3.4亿元新建置6寸SiC生产线，为***地区第一家率先扩增SiC产能的代工厂，预计明年下半年可以展开试产。

据了解，汉磊目前已建立4寸SiC制程月产能约1500片，预计将现有6寸晶圆厂部分生产线改为SiC制程生产线，先把制程建立起来，以满足车载、工控产品等客户强劲需求，因6寸的SiC售价达4000美元（约12万台币），估计每月只要产出2000到3000片，带动营收就可望增加2、3亿元以上。