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IRLR U120NPbF的HEXFET功率MOSFET数据手册免费下载

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.31 MB | 2019-05-21

caihoo

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　　来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每个硅区的最小电阻。这一优点，加上HexFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固设备设计，为设计者提供了一个非常有效的设备，可用于各种应用。

　　D-PAK设计用于表面安装，使用气相、红外或波峰焊接技术。直导式（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

　　表面安装（IRLR120N）

　　直引线（IRLU120N）

　　先进工艺技术

　　快速切换

　　完全雪崩额定值

　　无铅的

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