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IRFRU120N HEXFET功率MOSFET的数据手册免费下载

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.15 MB | 2019-05-21

caihoo

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  来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现每个硅区的最小电阻。这一优点,加上HexFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固设备设计,为设计者提供了一个非常有效的设备,可用于各种应用。

  D-PAK设计用于表面安装,使用气相、红外或波峰焊接技术。直导式(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。


  表面安装(IRFR120N)

  直引线(IRFU120N)

  先进工艺技术

  快速切换

  完全雪崩额定值

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