• MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

  • 刘建朝表示,MOSFET领域,目前主要呈现五大趋势:一是小信号MOSFET(小于1.5A);二是单体多芯封装形式;三是MOSFET芯片的单位面积通态电阻越来越小;四是MOSFET芯片的栅极电荷越来越小;五是封装功率越来越大。

  • 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

  • 2017年上半年8英寸晶圆厂整体的需求较平缓。随着第三季旺季需求显现,加上8英寸晶圆代工短期难再大幅扩产,整体产能仍吃紧,预期随着硅晶圆续涨,8英寸晶圆代工价格今年第一季预计调涨5~10%。

  • 讨论几种设计故障容受型电源的方法,其中包括新的预稳压器拓扑结构,该结构可简化电路设计及元件选择。 对抗相位故障 如果交流电源到电表之间出现错误连接故障,或是像空调或电磁炉等采用三相电源工作的大功率负载在两个相位之间的连接错误,电源输入端很有可能出现极高电压。为了在这些类型故障条件下生存,主AC-DC电源就必须能够承受约为常规交流主电源均方根(RMS)供电电压两倍的电压。 对于在美国(额定交流主电源电压为110VAC)工作

  • MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。

  • 结论 本文采用自举升压电路,设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计,可在1.5V电压供电条件下正常工作,而且在负载电容为60pF的条件下,工作频率可达5MHz以上。

  • 2018年,金属氧化物半导体场效应电晶体管(MOSFET)仍旧是市场上炙手可热的产品,目前MOSFET从下单到交货,时间已经拉长到4-5个月,MOSFET厂大中据传酝酿将从本季起调涨报价,预计尼克森、富鼎也将全面跟进,反映供给紧张态势。

  • 几类器件慎重采用串并联结构设计。继电器不允许并联一起以提供较大电流、两只电容或两只开关类管子(IGBT、三极管、MOSFET等)不用于串联结构以解决单只耐压不足的问题。