• 随着物联网的大力发展推动了半导体生产链滋生新的需求,据悉,由于汽车电子物联网等新需求浮现,2018芯片缺货潮会再度来袭,会出现难得一见的供需失衡的景象。

  • 在内存市场上三星已经占据了大半的江山,据悉,明年三星还将继续在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,是想进一步垄断DRAM和NAND闪存市场,可以说这是一场260亿美元的豪赌。

  • 内存/SSD齐涨价模式还没有叫停,供求还在不断地增加,三星计划增产内存来解决明年内存市场短缺的问题。据报道,受内存/SSD齐涨价影响,三星Q4利润预计暴涨77%。

  • 美国记忆体大厂美光 (Micron)在台湾控告晶圆代工大厂联电 (UMC),表示联电透过美光离职员工窃取 DRAM 相关机密商业资料而遭检方起诉之后, 6 日又在美国加州地方法院提起民事诉讼,控告联电及其技术协助的福建晋华侵害该公司的 DRAM 专利技术。

  • IHS Markit报告预估,明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,441亿GB。 其中三星电子将带头增产,预料供给将增39%至879亿GB。 与此同时,明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB,供给超出需求17亿GB,供给过剩比率约为0.7%。

  • 西安紫光国芯主要从事DRAM存储晶圆的设计,目前产品主要为专业代工厂生产。近年来,由于下游智能手机等智能终端产业的快速发展,存储芯片需求大大增加,而目前市场上的代工厂数量较少,为了争取到有限的产能,公司提升了给代工厂的费用,导致在需求旺盛的时候,公司存储芯片产品的毛利却持续下降。

  • ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

  •   NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

  • 受惠于DRAM市场交易热络,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)持续缔造业绩高峰,但韩国中小规模个人电脑(PC)厂商却苦不堪言。因为这些厂商已经取得公部门的PC采购订单,却因无DRAM可用,导致产品无法如期出货。

  • 日前,三星210亿美元砸向存储器的数字再次刺痛了不少中国半导体业者的眼睛,如今国内存储器产业建设正发展得如火如荼,中国存储器之战已经打响...