• 似乎选取功率MOSFET的耐压对于很多工程师来说是最容易的一件事情,因为设计的电子系统输入电压是相对固定的,公司选取特定的供应商的一些料号,产品额定电压也是固定的。例如在笔记本电脑适配器、手机充电器中,输入为90~265V的交流,初级通常选用600V或650V的功率MOSFET;笔记本电脑主板输入电压19V,通常选用30V的功率MOSFET,根本不需要任何的考虑。

  • 据市场分析,MOSFET芯片缺货的趋势将持续蔓延,也就是说MOSFET涨价模式即将开启。据悉芯片调价幅度维持在10%-20%左右,在利润的驱使下,市场将难以出现平衡的状态。

  • 反激式转换器在正常工作情况下,当MOSFET关断时,初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时,次级二极管导通,初级电感Lp两端的电压被箝位至nVo。因此初级总漏感Lk(即Lkp+n2×Lks)和Coss之间发生谐振,产生高频和高压浪涌,MOSFET上过高的电压可能导致故障。

  • 本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS (零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

  • 大家都知道这个尖峰是开关MOS开通的时候出现的,根据反激回路,Ids电流环为Vbus经变压器原边、然后经过MOS再到Vbus形成回路。

  • 碳化硅器件与硅器件的对比,开关特性,导通特性对比。

  • MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

  • 刘建朝表示,MOSFET领域,目前主要呈现五大趋势:一是小信号MOSFET(小于1.5A);二是单体多芯封装形式;三是MOSFET芯片的单位面积通态电阻越来越小;四是MOSFET芯片的栅极电荷越来越小;五是封装功率越来越大。

  • 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

  • 2017年上半年8英寸晶圆厂整体的需求较平缓。随着第三季旺季需求显现,加上8英寸晶圆代工短期难再大幅扩产,整体产能仍吃紧,预期随着硅晶圆续涨,8英寸晶圆代工价格今年第一季预计调涨5~10%。