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基本半导体
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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。
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深圳基本半导体公司成功研发沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制备技术
2024-04-19
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第三代半导体创新企业基本半导体荣获锐湃科技2023年度优秀合作奖
2024-04-02
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基本半导体在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件领先技术
2024-03-04
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国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
2022-07-25
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国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流
2022-07-20
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2023-07-21
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2022-12-05
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2022-11-30
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国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1可pin to pin替换科锐C4D30120D
2022-11-25
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国芯思辰｜基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服务器电源
2022-11-23
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国芯思辰｜1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用，可替代C2M0080120D
2022-11-17
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国芯思辰｜可替换C3D10065A的碳化硅肖特基二极管：基本半导体650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC电源设计
2022-11-15
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2022-11-07
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2022-11-03
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国芯思辰｜基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列
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国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位，反向电压1200V
2022-10-12
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国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗，导通延迟20ns
2022-09-30
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国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度
2022-09-29
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