安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件
安建半导体获得超过2亿元人民币的C1轮融资
安建半导体推出全新150V SGT MOSFET产品平台
安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
JSAB瑞出应用于乘用车电驱的750V-340A IGBT
JSAB正式推出1200V-900A模块
应用于200kW及以上光伏逆变系统的1000V-400A ANPC三电平模块
安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆
1200V-150A/225A/300A储能用三电平模块简介
采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管
1200V-600A/450A IGBT模块产品性能
