FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK
KANA 发表于 2019-08-04 15:02:22
数据:
数据表:碳化硅肖特基二极管1200 V,10 A.
碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。
特性
最高结温175°C
雪崩额定200 mJ
无逆向恢复/无正向恢复
易于并行
高浪涌电流容量
正温度系数
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
数据表:碳化硅肖特基二极管1200 V,10 A.
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