该数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双极数字晶体管包含一个单晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。这通过将它们集成到单个设备中来消除这些单独的组件，并且可以降低系统成本和电路板空间。
| 特性 |
- 集电极 - 发射极维持电压 - V CEO（sus） = 30 Vdc（Min）@ I C = 10 mAdc
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- 高直流电流增益-h FE = 125（最小值）@ I C = 0.8 Adc
= 90（Min）@ I C = 3.0 Adc |
- 低集电极 - 发射极饱和电压 - V CE（sat ） = 0.275 Vdc（Max）@ I C = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc（Max）@ I C = 3.0 Adc |
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- ESD等级 - 人体模型：1B级
- 机器型号：B级 |
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- 汽车和O的NSV前缀需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AECQ101
合格且有PPAP能力 |
电路图、引脚图和封装图
