IMH20TR1 双NPN双极数字晶体管(BRT)
KANA 发表于 2019-08-03 11:02:21
数据:
数据表:双偏置电阻晶体管
该系列双极数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双极数字晶体管包含一个单晶体管,其单片偏置网络由两个电阻组成;一系列基极电阻和基极 - 发射极电阻。这通过将它们集成到单个设备中来消除这些单独的组件,并且可以降低系统成本和电路板空间。
特性
IC的最大低VCC(sat)80 mV / IB = 50 mA / 2.5 mA
高电流:IC = 600 mA max
这是无铅设备
应用
更高的当前手持应用程序。
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
数据表:双偏置电阻晶体管
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