NLHV4157N 负电压SPDT开关
KANA 发表于 2019-08-02 21:02:21
数据：
数据表：负电压SPDT开关
NLHV4157N是采用硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件通过模拟和数字负电压，可能在整个电源范围内变化（从VEE到GND）。
特性
优势
工作电压范围
VEE = -12 V至-4 V
开关信号电压范围
VIS = VEE至GND
正控制信号电压
VIN = 0至3.3 V
低导通电阻
RON≤5Ω@ VEE = -10 V
闩锁性能
超过200毫安
小包装
SC88中提供6引脚封装
这些器件无铅，无卤素/无BFR且符合RoHS标准
应用
终端产品
GaN晶体管功率放大器
手机塔
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册（1）
数据表：负电压SPDT开关
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