双端口EEPROM系列由两个独立的存储体组成，每个存储体可以使用专用控制引脚单独控制。两个银行可以分别控制，但共享内部供电系统。此外，该产品采用2线串行接口，是实现系统成本和安装面积大幅降低以及低功耗的最佳设备。该产品还采用了组合模式，通过将COBM＃引脚设置为低电平，允许将双存储区配置（2K位+ 2K位）用作伪单存储区配置（4K位）。与16字节页面写入功能一起，可以减少工厂写入过程的数量。该产品采用高性能CMOS EEPROM技术，实现高速运行和高可靠性。该产品的接口与I 2 C总线协议兼容，使其成为小规模参数存储的非易失性存储器的理想选择。此外，该产品还支持DDC2 TM ，因此它也可以用作显示设备的EDID数据存储器。
| 特性 |
- 2K位（256×8位）+ 2K位（256×8位）：总共4k位
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- 存储区配置：2-Bank（2k-bit + 2k-bit）
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- 双线串行接口（I 2 C总线），VESA DDC2 TM 兼容
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- 低功耗：待机：5μA（最大）
：单存储读取：0.8 mA（最大） |
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- 高可靠性：采用专有的对称存储器阵列配置（USP6947325）
连接到SCL1，SDA1，SCL2和SDA2引脚的噪声滤波器具有禁止在低电压条件下进行写操作的功能。 |
电路图、引脚图和封装图
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