NLAS3899 模拟开关 双DPDT 低RON 低电容

KANA 发表于 2019-07-31 21:02:20

数据: 数据表:模拟开关,双DPDT,低RON,低电容

NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关,专为低功耗音频和双SIM卡应用而设计。低RON3.0Ω(典型值)非常适合将音频信号路由到中等阻抗负载或从中等高阻抗负载路由。此外,20 pF(典型值)的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高带宽,非常适合双SIM卡应用。
特性
  • 单一供应运作; 1.65至4.3 VV CC
  • 低导通电阻(3.0 V典型值跨越V CC
  • 低C ON (20 pF典型值)
  • 带宽280 MHz
  • 最大击穿电压:5.5 V
  • 低静态功率
  • 1.8 V芯片组接口
应用 终端产品
  • 双SIM卡数据切换
  • 手机扬声器/麦克风切换
  • 铃声芯片/放大器切换
  • 四个不平衡(单端)开关
  • 智能手机
  • 平板电脑
  • VoIP手机

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1)

收藏

相关话题
文章来源栏目
+加入圈子

评论(0)

加载更多评论

参与评论

分享到

QQ空间 QQ好友 微博
取消