NLAS3899 模拟开关 双DPDT 低RON 低电容
KANA 发表于 2019-07-31 21:02:20
数据:
数据表:模拟开关,双DPDT,低RON,低电容
NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关,专为低功耗音频和双SIM卡应用而设计。低RON3.0Ω(典型值)非常适合将音频信号路由到中等阻抗负载或从中等高阻抗负载路由。此外,20 pF(典型值)的低CON使NLAS3899B具有280 MHz的高带宽,非常适合双SIM卡应用。
特性
单一供应运作; 1.65至4.3 VV
CC
低导通电阻(3.0 V典型值跨越V
CC
)
低C
ON
(20 pF典型值)
带宽280 MHz
最大击穿电压:5.5 V
低静态功率
1.8 V芯片组接口
应用
终端产品
双SIM卡数据切换
手机扬声器/麦克风切换
铃声芯片/放大器切换
四个不平衡(单端)开关
智能手机
平板电脑
VoIP手机
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
数据表:模拟开关,双DPDT,低RON,低电容
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