关于锗硅工艺的建模，设计和应用分析和介绍

今年MOS-AK 器件模型国际会议将于2019年6月21-22日在成都电子科大举办，在会议的前一天6月20日，我们特别安排了一天的培训，主要内容是基于SiGe HBT工艺的器件建模，电路设计以及终端应用，主讲者是来自Infineon 和 Silicon Radar 参与锗硅欧盟项目的专家，通过他们的讲述，让大家更多理解模型的核心价值以及落地的大规模产品应用，属于比较完美的turnkey solution。 

其中上午，来自Infineon的Dr. Andreas Pawlak给我们带来模型部分培训，他是下面出版的“Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for mm-Wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications”模型章节的主要作者。他的演讲内容主要是回顾欧盟项目Dotfive, Dotseven, RF2THz 等在开发新工艺，建立新模型当中碰到的各种问题，比如substrate coupling, scaling, model parameter extraction等等，当然在器件fmax=700GHz ，demo电路240GHz的情况下，许多测试方案，建模方案也是在验证，测试，错误，更新，并且和工艺，设计人员的密切配合，不断轮回中才获得比较理想结果的，通过案例分享，让国内将来如果引进SiGe HBT工艺也可以少走弯路。

下午，主要由来自Silicon Radar的设计主管Dr. Wojciech Debski 带来基于SiGe HBT 工艺的电路和应用，他本人也参与很多欧盟项目，这些已经落地产品和上面的模型成功开发密不可分。 培训分二部分，第一部分将介绍24GHz、60GHz和122GHz ISM波段的雷达收发器设计。此外，还将现场演示两个宽带收发器：一个工作在120GHz，带宽为20GHz，另一个工作在300GHz，带宽为40GHz。第二部分将重点介绍需要角分辨率的应用芯片，介绍集成的24GHz收发器（具有两个发射通道和四个接收通道），60GHz可扩展收发器（具有四个接收通道和四个发射通道）, 79GHz可扩展收发器（具有四个接收通道和四个发射通道），120GHz收发器（带两个接收和一个发送通道）。