回顾关于MOS-AK hangzhou 器件模型的介绍和分析

2017年的MOS-AK 器件模型国际会议于6月29-30日在美丽的杭州举办，会议得到了当地组织方杭州电子科大的积极支持和配合，筹备工作非常顺利，MOS-AK组委会也非常期待半导体产业的朋友来参加这个会议，因为器件模型是中国半导体产业薄弱环节，需要大家一起来扶持和帮助。通过一段时间的积累，相信大家能看到通过模型产业的发展，国内的半导体产业自身会拥有更多核心价值。

这次会议有几个邀请报告，在这里，我们先向大家介绍一下这些报告的主要亮点，喜欢的朋友不要错过。

1. Beyond 100GHz: Device characterization for THz applications (IMS-Lab)

报告的内容基于欧盟项目的结果，主要介绍在100GHz 以上的 on-wafer 校准，去嵌，测试结构方面必须注意的事项：比如探针接触，探针位置，机械性探针变形和探针之间的耦合对测量的影响等。这个对高频电路设计公司非常有意义，因为设计仿真结果和流片的不匹配是经常发生的事情，需要在测试结构设计，测量知识方面就打好基础。

2.  Latest improvments in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities (UMS-GaAs)

此篇报告主要介绍UMS在运用Dr. C.Chang 创新的III-V 器件模型方程的基础上实现了对GaN和GaAs Non-Linear 特性的描述，同时也包括了频率离散现象，比如自热和电荷陷阱现象。新的扩展方程保证了对于不同尺寸的器件能够有比较准确可靠的模拟结果，也在PA， LNA等的设计中得到验证。 除了非线性模型，ADS PDK 也包含了DRC，3D 演示（for momentum simulation)，更多的PDK 方面的改善也会在报告中提到。这个报告内容对III-V设计公司和科研院所是非常有意义的。

3. Surface Potential Based Compact Model for Thin Film Transistor (IME Chinese academy)

此篇报告运用了基于物理基础的surface potential model对TFT器件进行了研究。 对TFT器件的模型描述在模型界一直是难点，主要原因是TRAP的影响对器件性能变化非常大。本篇报告通过新模型的开发和应用，真正的实现了在RFID应用方面的验证，使设计人员能够比较准确预判电路的特性和结果。这个报告也充分显示了模型对于电路设计的核心价值。

4.  A New Compact Model for FinFETs Accommodating Inner Thermal Effect (Hangzhou dianzi University)

随着工艺节点的减小，FinFET的新结构也越来越受人关注，不仅在数字应用方面，RF也有应用。 由于器件非常小，自热效应明显，为了描述此现象，一个新型的小信号bulk FinFET模型 应运而生。 这个模型在SMIC 14nm bulk FinFET 上得到了验证，仿真和硅片数据在100Khz- 50.2GHz 之间取得了很好的一致。这为后续设计人员设计新型电路打好了扎实的基础。 没有好的器件模型，设计人员的效率会变的低下和无效。

5.  Radiation Hardening of Memory Products （Cypress semiconductor)

防辐射对于某些产品来说一直是头疼的问题。在这篇报告中，作者对辐射环境和安全操作的内存产品在卫星应用中的挑战做了概述。讨论了基本辐射对单个晶体管水平的影响以及空间辐射效应对产品级的影响，也讨论易失性和非易失性内存技术。 特别是电离总剂量（TID）对在65nm CMOS基于SONOS NOR闪存的非易失性存储器的数据保留行为的影响。基于观测到的辐射效应，报告最后提出了如何使器件仿真通向电路级辐射效应仿真的方法和建议。

除了上述邀请报告，我们也有来自很多来自工业界，学术界一年来在模型方面的研究和进展报告，他们是Keysight, NXP，Synopsys，HHGRACE ，Qinhuang University, HIWAFER，THz  R&D institute, SIMIT, Silicon Radar, Cogenda等，特别是Silicon Radar 会给大家带来针对于目前热门的77GHz, 122GHz 雷达芯片系统设计方面的系统模型经验。 感兴趣的朋友，如果想报名或者了解会议报告内容可以参考微信左下角的阅读原文或者到http://www.xmodtech.cn/Agenda 。

最后欢迎大家积极参加国内举办的MOS-AK器件模型国际会议，一起为这个有意义的活动加油鼓劲，让模型这个被很多人忽视的产业重新获得重视，让中国半导体产业获得更多和国外半导体竞争的核心价值。