回顾华虹宏力深耕功率半导体市场的介绍

“第七届中国电子信息博览会（CITE2019）”召开。华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）展出的“高压大功率双沟槽型超级结工艺平台”获得本届中国电子信息博览会创新应用金奖。作为业界首家提供超级结工艺平台的8英寸晶圆代工厂，华虹宏力一直在这个市场深耕，为客户提供独特的、富有竞争力的深沟槽超级结工艺。自从20世纪90年代超级结MOSFET被发明以后，一直被英飞凌、ST、安森美半导体等几家国际大型IDM公司所垄断。2010年，华虹宏力开始自主研发深沟槽型超级结工艺技术，打破了国际大厂的垄断，自工艺平台推出以来，已有国内外多家设计公司试产和量产了各自品牌的超级结芯片。本次获奖的“高压大功率双沟槽型超级结工艺平台”是华虹宏力超级结工艺平台的最新一代技术。

华虹宏力技术研发部门总监杨继业指出，随着市场需求的增长，超级结产品在200V～1000V范围的应用会越来越广泛。华虹宏力推出的拥有丰富电压系列的200V～1000V，以及1000V以上的超级结产品，将在中高压，甚至更高电压领域的电子电力行业、交通运输行业，获得更加宽广的市场。

华虹宏力技术研发部门总监杨继业

功率半导体需求持续增长

根据IC Insights公司发布的数据，2018年全球功率半导体市场规模约为151亿美元，2022年将增长到170亿美元。

作为全球制造中心之一，中国对于功率半导体的需求也很大。目前，中国功率半导体市场规模位居全球第一，占比达40%。2018年中国功率半导体市场规模为2591亿元，同比增长12.8%；预计2019年将达到2907亿元，同比增长12.2%。

相比国内广阔的市场前景，国内功率半导体企业的营收和市占率依然较低，与国际大厂差距明显。因此，大力发展功率半导体制造，掌握核心技术，提升国产功率分立器件市占率，将是行业未来发展的必然选择。

超级结工艺平台技术性能国际领先

华虹宏力投入大量资源，不断提升在功率器件领域的技术及生产能力，为国内外企业提供性能优异的功率器件代工服务。

“华虹宏力从2002年就已经开始进入功率MOSFET代工领域，是全球首家提供功率MOSFET代工服务的8英寸厂。华虹宏力成功研发出SGT/SJ MOSFET/IGBT等技术，性能得到了持续优化，从国际巨头们的追随者，逐渐赶上，变成了并跑者，在某些领域还成为了领先者。”杨继业进一步举例说，“比如华虹宏力作为全球首家提供沟槽型场截止型IGBT量产技术的8英寸代工厂，我们特有的高压大功率双沟槽型超级结工艺平台的技术性能处于国际领先地位。”

华虹宏力“高压大功率双沟槽型超级结工艺平台”主要有两点关键创新：首先，深沟槽型超级结工艺平台采用了更小的元胞间距、更大的深宽比，且更为垂直的Trench结构，有利于在降低器件导通电阻的同时，提升器件的反向击穿电压。其次，深沟槽型超级结工艺平台采用了双沟槽结构，除了超级结Pillar结构采用深沟槽制作，超级结栅极也采用了沟槽型结构。双沟槽结构不仅消除了JFET效应，进一步降低导通电阻，而且拥有更低的栅电荷表现Qg，提升了开关速度，降低了器件的开关损耗。高压大功率双沟槽型超级结工艺平台，实现了600V级别产品。

硅基功率器件与第三代化合物半导体同时发力

在谈到华虹宏力功率半导体下一步发展计划时，杨继业表示：“在技术上，我们还将继续创新。今年，我们将继续研发第三代SJNFET、逆导型IGBT、SJ-IGBT等新一代功率器件技术，以及高压大电流车用IGBT技术。除了追求高压功率器件所需的更高功率密度和更低损耗，也将精益求精地开发片上集成传感器的智能化IGBT工艺技术与高可靠性的新型散热IGBT技术。”

产能方面，华虹宏力将加快功率分立器件产能扩充力度，计划在未来两年扩充每月约2万片8英寸晶圆产能，进一步满足客户和市场需求。对于第三代化合物半导体技术，华虹宏力也保持关注。杨继业说：“现已启动了GaN 相关材料的预研发工作，为将来实现先进的8英寸功率GaN器件代工服务做准备。”