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《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》明确表示国家将大力发展新能源汽车,而IGBT、碳化硅器件等作为新能源汽车的核心器件,国产化替代需求巨大。6月22日,“2018国际新能源汽车功率半导体关键技术论坛”在北京举行,旨在把行业最优的核心器件推广至新能源汽车应用。作为全球第一家提供沟槽型场截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量产技术的8英寸代工厂,华虹宏力在IGBT代工领域有口皆碑,始终以深厚的技术底蕴和卓越的性能品质深受客户认可,会上被授予“新能源汽车功率半导体十佳企业”。
凭借研发创新与产学研合作,华虹宏力陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺,成功解决了IGBT的关键工艺问题,在沟槽型场截止型IGBT量产上经验丰富,更是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业,包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火、背面金属,背面光刻。
2018年5月,华虹宏力正式通过IATF 16949汽车质量管理体系认证。相较老版TS 16949,IATF 16949汽车质量管理体系更着重于持续改善,强调缺陷预防以及减少变差和浪费。
汽车电动化的大旗下,车用半导体蓬勃发展,华虹宏力将继续坚持技术创新与质量管理双管齐下,积极开拓汽车电子市场,进一步服务客户需求,提升客户满意度,向更高质量目标再出发。
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