关于HF900在高压设计方面的便利性分析

MPS提供业界首颗单片集成900V FET芯片—HF900，为工程师提供了高输入电压应用的设计利器。在智能电表的设计中，HF900不仅能提供符合耐压要求的功率器件，更能简化设计，减小电源尺寸，提高产品的可靠性。

在传统单相电表设计中，为了克服宽输入范围，一般采用MOSFET层叠式的方案。而HF900由于集成了900V FET，提供了更加简洁的设计(参见图一)。

图一 传统层叠式反激电路与HF900反激电路的比较 (点击看大图)  

简化设计的同时，HF900在设计中，还充分考虑了芯片的热特性。由于独特的单片集成工艺和封装结构，芯片的温升比一般的co-pack方案低许多（参见表一）。同样重要的是，HF900能够更准确地测量到同一个DIE上的FET的温度。当FET温度超过150°C时，芯片关闭FET，全面保证电源的可靠工作。

表一  

测试条件: VIN=597VDC, POUT=5W, 不加散热器

总结：

1. 低EMI

单片集成的FET采用GND为衬底的平面DMOS结构，相比以Drain为衬底的垂直沟道FET，动点面积更小，有利于降低EMI干扰。此外，HF900提供了抖频功能，帮助工程师克服EMI干扰。

2. 不对PLC产生影响

HF900还充分考虑了PLC在电表中广泛应用的实际情况，采用定频工作且频率可设的方式，保证不对PLC产生影响。