逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)通常用于需要中到高分辨率的应用中。 SAR ADC的主要优点是高性能,低功耗和小芯片面积。
为了减小芯片面积,使用分离电容DAC阵列。该架构如图1所示。分离电容阵列既可用作DAC,也可用作采样保持电路。衰减器电容器C a用于将阵列分成两个子阵列。在采样阶段之后,阵列输出端的输出电压为V in - V ref ,其中V in是ADC输入电压,V ref 是参考电压。在近似阶段期间,输出电压达到V ref + V qe 的值,其中V qe 是量化误差。导致该值的DAC输入是转换结果。但是有一些误差源必须最小化。
图1:分离电容SAR ADC
2。误差来源
2.1寄生电容
在DAC的每个电容上阵列,上板和下板都有一些寄生帽。下板上的寄生电容对于SNR计算并不重要,因为它在逐次逼近过程中不参与电荷共享。寄生帽的价值取决于各种因素,如布局,制造工艺等;加上它随着死亡而变化。
图2:寄生帽
2.2电容不匹配
不可能在芯片上制作精确值的电容。与Parasitics一样,不匹配也取决于布局和制造过程。图3显示了两个电容,第二个电容应具有第一个双倍值,但其值随delta变化。通过适当的布局,可以实现低至0.1%的delta值。
图3:不匹配
2.3来自附近网络的耦合
如果输入或参考电压的相邻网络正在切换,那么它们可以耦合噪声。图4显示了输入正弦波;在放大的快照中可以看到与附近网络的正弦波耦合的噪声。
图4:输入噪声
3。分析
为了研究各种因素对ADC信噪比的影响,采用了行为模型[2]。在每次模拟中,取出1024个正弦波样本并将其转换为12位数字值,然后计算SNR。进行了1000次这些模拟,最后得到了所有SNR值的RMS值。
DAC的输出电压可按如下方式计算:
其中C sumL是阵列的LSB一半的总电容,C sumM是MSB一半阵列的总电容。 N是DAC使用的位数, C 0是单位电容值, 等于阵列MSB一半的相应DAC位。
运行SAR算法进行转换,上面的方程用于通过切换找到V out 从MSB到LSB的逐位比特。
3.1寄生电容对SNR的影响
随机值(介于0之间)在每次模拟中产生每个电容器的寄生电容的最大值(%)。进行1000次这样的模拟,最后计算SNR的RMS值。图5显示了SNR随寄生效应的变化,表中寄生值是寄生电容的最大可能值。我们可以看到只有0.2%的寄生电容可以导致6dB的SNR下降。
图5:SNR与寄生效应
3.2不匹配的影响
这里也针对不同的最大不匹配值,为每个电容器生成随机值,然后转换完成。完成1000次这样的转换,最后计算SNR的RMS值。电容之间0.1%的不匹配会使SNR降低3.2 dB。
图6:SNR与失配
3.3耦合的影响
这里我们得到噪声的随机值(从0到最大值),它被加到输入信号值上。对于每次转换,有1024个样本,因此每次转换都会添加1024个不同的噪声值,并完成1000次转换,然后计算SNR的RMS值。
图7:SNR与输入噪声
4。结论
上述分析表明,附近网络耦合的电容,寄生电容或噪声之间的小的不匹配会如何降低SAR ADC的性能。这种高灵敏度使得必须在布局阶段正确匹配电容器,并在片上SAR算法中使用各种校准技术来提高其性能。屏蔽ADC网络可以帮助避免噪声耦合,这将再次有助于提高性能。
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