可用于控制移动设备中的电源和数据信号的紧凑型封装MOSFET

加利福尼亚州IRVINE。， 10月。 8,2015 /PRNewswire/- 东芝美国电子元件公司（TAEC）*，一家致力于与科技公司合作创造突破性设计的领导者，今天宣布推出两款新的紧凑型MOSFET - SSM3K35CTC和SSM3J35CTC。 SSM3K35CTC和SSM3J35CTC采用新开发的紧凑型封装（CST3C），适用于控制移动设备（如智能手机和可穿戴设备）中的电源或数据信号。

在整体占地面积方面，东芝的CST3C封装超出了行业标准。事实上，CST3C封装尺寸仅为行业标准SOT-723封装的三分之一。这使得东芝的新型MOSFET适用于高密度安装，与使用标准SOT-723封装的产品相比，它们能够实现更低的导通电阻。

Polarity	零件编号	包裹（尺寸）	绝对最大额定值	R DS（ON） t YP。 （Ω）
V DSS （V）	我 D （A）	@ | V GS | = 1.2 V	@ | V GS | = 1.5 V	@ | V GS | =1.8 V	@ | V GS | = 2.5 V	@ | V GS | = 4.5 V
N-ch	SSM3K35MFV	SOT-723 （1.2×1.2 mm）	20	0.18	5	3	-	2	1.5（@ 4V）
SSM3K35CT	SOT -883 （1.0×0.6 mm）
SSM3K35CTC * 1	CST3C （0.8×0.6 mm）	20	0.25	2.4	1.7	1.5	1.1	0.75
P-ch	SSM3J35MFV	SOT-723 （1.2×1.2 mm）	-20	-0.1	11	8.2	-	5.6	4.3（@ 4V）
SSM3J35CT	SOT-883 （1.0×0.6 mm）
SSM3J35CTC * 1	C ST3C （0.8×0.6 mm）	-20	-0.25	3.2	2.3	2.0	1.5	1.1

* 1：新产品

SSM3K35CTC和SSM3J35CTC包括：

新型紧凑型封装CST3C（0.8×0.6 mm）

可控制，栅极电压为1.2 V

低漏极 - 源极导通电阻：
SSM3K35CTC：R DS（ON） =2.4Ω（典型值）@V GS = 1.2 V
SSM3J35CTC：R DS（ON） =3.2Ω（典型值）@V GS = -1.2 V

价格和供货情况
东芝的新型紧凑型MOSFET现已上市。