现在仍然可以使用离散小信号MOSFET,本设计理念提供了两个简单的例子:AND门和幅度调制器。
图1显示了一个标准的双输入AND门及其MOSFET(和单电阻或双电阻)实现。
图1双输入与门(a)和MOSFET实现(b)
输入-A和输入-B在这里连接
到单极由15V电池供电的开关。输入A连接到MOSFET的漏极端子;输入-B到其门终端。标记为Output-C的源端子是AND门的输出。电路中的MOSFET处于截止或饱和模式。
当栅极端子施加逻辑低电平(0V)时,MOSFET工作在截止模式,并且工作在高电平MOSFET的漏极和源极之间存在阻抗。类似地,当在栅极端子施加高电压(15V)时,MOSFET工作在饱和模式,MOSFET的漏极和源极端之间存在低阻抗。
图2两个输入的示例模拟= 1
与非门当然可以通过添加M2和R3来形成输出反相器来实现。
图3双输入与非门(a)和MOSFET实现(b)
对于更多模拟 MOSFET应用,请考虑这种简单的AM调制器。
图4MOSFET幅度调制器
电路由N沟道MOSFET,两个电阻和一个肖特基二极管组成。调制信号 sig(t),连接到MOSFET的漏极端子。载波信号 v-carr(t)连接到栅极端子。幅度调制输出信号 v-out(t)从源极端获得。
载波信号是方波,并且由于MOSFET的栅极连接到载波,MOSFET将以该频率接通和断开。接通时,漏极上的任何电压都将通过MOSFET并出现在源极端子上。当MOSFET关闭时,R2会将输出拉至地。
为了正常工作,载波信号的峰峰值电压应为调制信号的峰峰值电压的两倍。 。肖特基二极管可防止幅度调制输出信号成为双极性信号。
图5采用25kHz 12V PP 载波和1kHz 6V PP 正弦调制的仿真结果
图6如上所述,使用方波调制
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