关于高功率SMPS拓扑的“首选MOSFET”的性能分析和应用

CoolMOS CFD7是英飞凌最新的具有集成快速体二极管的高压技术，补全了CoolMOS 7系列。它是高功率SMPS应用（如服务器、电信设备和EV充电站等）中的谐振拓扑结构的理想选择。

 

伴随5G与物联网时代的到来，全球市场的智能终端数量在急剧攀升，而为了确保高带宽、高质量的5G通信传输，基站等电信设备的大规模铺设成为了必要的措施。同时，云端的服务器需求也在增加，源于云计算、大数据、AI等前沿技术都与通信产业密不可分。更不用说无人驾驶、新能源兴起带来的EV充电站发展机遇。在一名电源工程师的眼中，这些场景都离不开高功率的SMPS应用。于是小编忍不住要马上公开一个秘诀……

究竟是什么秘诀呢？

英飞凌高性能CoolMOS CFD7 系列，在高功率SMPS应用的谐振拓扑结构设计中抢占先机！

英飞凌最新推出的CoolMOS CFD7系列是CoolMOS CFD2系列的后继产品。与竞争对手相比，CoolMOS CFD7 降低了门极电荷(Qg)，大大改善了关断行为，反向恢复电荷(Qrr)降低了高达69%，而且反向恢复时间(trr)在业内上是最短的。由于这些特性，CoolMOS CFD7 在诸如LLC和ZVS相移全桥之类的软开关拓扑中提供了最高的效率和一流的可靠性。此外，由于优化了的RDS(on)，CoolMOS CFD7可实现更高的功率密度。

这些最新的快速体二极管系列通过将快速开关技术的优点与卓越的换向稳健性结合在一起，并保持在设计过程中的易实现性，因此与竞争对手产品相比，具有明显的优势。

600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET——英飞凌给谐振拓扑的解决方案

1主要特性

超快速体二极管

一流的反向恢复电荷 (Qrr)

改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐久性

极低的FOM RDS(on)x Qg和Eoss

一流的RDS(on)/封装结合

2主要优势

流的硬换向稳健性

在于谐振拓扑结构中具有最高可靠性

高效率与杰出的易用性/性能的平衡

提升的功率密度解决方案

都说英飞凌技术水平节节高，除了上边提及的主要特性与优势外，600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET将之前CoolMOS CFD2系列世界领先的反向恢复电荷(Qrr)水平再降低32%，实现了裸开关拓扑领域的最高可靠性，避免了特定情况下可能发生的整流问题，能够面向目标市场提供最优匹配效率。

170 mΩ CFD与190 mΩ范围内的竞争对手产品的Qrr比较

以600V的IPW60R070CFD7为例，我们从下图显示的应用测量结果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在谐振开关拓扑结构中可显著提高效率。CoolMOS CFD7系列与市场上的主要竞争对手相比，能效可增加高达1.45%，而且超出目标应用的要求，这就是英飞凌业界领先技术的BIGGER所在。

CoolMOS CFD7系列与竞争对手产品的能效比较

600V CoolMOS CFD7产品系列全家福