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除了企业级、工业级等极少数特殊产品,SLC闪存已经逐渐成为回忆,MLC闪存都快绝迹了,只剩满大街的TLC、QLC,不过东芝正在把SLC带回来!
一年前的FMS 2018闪存峰会上,东芝宣布了全新的“XL-Flash”,可以理解为一种采用3D立体封装、延迟超低的SLC闪存,但没有透露更多细节。
如今,FMS 2019开幕在即,东芝正式发布了XL-Flash,并透露了不少细节,还会在峰会上公布更多架构和技术特点。
传统3D NAND
据介绍,XL-Flash闪存介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间,拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量,而且成本相对较低,初期将用于SSD固态硬盘,未来也可用于NVDIMM内存条等传统DRAM领域产品。
XL-Flash闪存每个Die裸片的容量为128Gb(16GB),支持2个、4个、8个Die封装,因此单颗容量可以做成32GB、64GB、128GB。
这样的容量确实不大,但分成了多达16层,并行程度要比现在追求容量的3D NAND闪存高得多,同时页面尺寸仅为4KB,远小于3D NAND,读写效率更高,毕竟属于SLC,每个单元只存储一个比特。擦除区块尺寸未披露,但相信也会比高容量3D NAND小得多。
至于性能,东芝称XL-Flash的延迟不会超过5微秒,相比现在3D TLC闪存的50微秒左右提升了足有10倍。
看起来,东芝XL-Flash有点对标三星Z-NAND的意味,不过后者仅用于三星自家的Z-SSD,而东芝XL-Flash会向行业开放,事实上已经有多家SSD主控厂商开始准备在下一代产品中支持了。
东芝XL-Flash闪存将在下个月试产出样,明年投入大规模量产。
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