飞兆半导体的PowerEdge双频WCDMA/UMTS射频功率放大器模块( PAM)将功率附加效率(PAE)提高到42%,这是对竞争产品的重大改进。作为首款采用3x3 mm LCC封装提供1850-1910 MHz和1920-1980 MHz工作频率的3G PAM,该器件比其他4x4 mm封装小约44%。
PAM解决了当今3G手机,PDA和无线PC数据卡的高效率,频率灵活性和尺寸要求。它还符合新兴的高速下行链路分组接入(HSDPA)标准。
“飞兆半导体的PowerEdge双频段PAM使OEM能够设计产品,使客户能够获得更大的频段选择,并显着扩大覆盖范围,”飞兆半导体RF功率产品部总经理Russ Wagner说。 “随着手机功能日益融合,以及对功率效率的需求,RMPA2265在业界最小的封装中提供了减少电路板空间,延长通话时间和双频段灵活性的优势。”
通过飞兆半导体专有的InGaP异质结双极晶体管(HBT)技术,该产品具有出色的线性度和高功率附加效率。该器件具有可选的高/低功耗模式,用于进一步优化电流消耗。两级功率放大器内部匹配输入和输出至50欧姆,以最大限度地减少外部元件的使用,从而简化设计要求。
无铅(Pb)RMPA2265符合或超过IPC/JEDEC联合标准J-STD-020B的要求,并符合现已生效的欧盟要求。
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