三安光电将在中国中部建设一个Mini/MicroLED研发基地 投资120亿元人民币

据业内人士称，三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地，投资额为120亿元人民币（17亿美元）。

消息人士表示，三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时，三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750，000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84，000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720，000个蓝光Mini LED芯片、90，000个蓝光Micro LED芯片、720，000个绿光Mini LED芯片和80，000个绿光Micro LED芯片，而GaAs业务部分年产能将包括660，000个红光Mini LED芯片和90，000个红光Micro LED芯片。

然而，消息人士指出，三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。

此外，三安光电已经与三星电子合作，共同开发Mini/Micro LED技术。

而总部位于中国***的PlayNitride，则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片，而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。