5G时代下我国射频模拟产业迎来更多发展机会

模拟技术

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(文章来源:OFweek)

对于射频技术的发展,新型半导体材料也发挥着关键作用,尤其是GaN射频功率放大器具备高功率、高增益和高效率的特性,更能满足5G基站的需求。从5G的频谱划分来看,主要包含Sub-6G和mmWave(毫米波)两种,中国主推Sub-6G,基站距离是500m-1000m,美国主推mmWave(毫米波),基站距离是300m。目前,射频应用主要采用砷化镓(GaAS)技术和氮化镓(GaN)技术,GaAS支持的带宽频谱范围是900MHz到3GHz,GaN支持的带宽频谱范围是3GHz-6GHz。

在2G/3G/4G通信中,带宽范围是900MHz到3GHz,主要采用GaAS技术;到5G 时代,GaAs PA已经无法满足技术需求,带宽在Sub-6G(3GHz-6GHz)阶段GaAS技术尚可满足需求,当带宽到mmWave (28GHz-52GHz)阶段需要GaN技术才能满足要求。据国家新材料产业发展战略咨询委员会预测,2023年GaN射频器件市场规模将达到13亿美元。5G基础建设大范围铺开后,GaN器件数量将以80%的年均复合增长率增长。

在市场需求的推动下,中国的射频厂商在GaAS和GaN技术上取得了突破性进展。在GaAS领域,有三安集成、Vanchip(唯捷创芯)、长电科技;在GaN领域,IDM企业有苏州能讯、英诺赛科,大连芯冠科技、海思等公司,GaN 器件代工企业有海威华芯和三安集成,中电科 13 所、55 所也拥有 GaN 器件制造能力。

总体来看,国内射频产业链已经搭建完成,从射频芯片设计,到封测、制造三个环节均有公司可以支撑,其中IDM公司、Fabless公司和代工厂齐头并进,并且在新材料的研发上也取得了不错的成绩。

从全球市场来看,Qorvo、skyworks、Broadcom等三大公司仍然会占据主流;从国内市场来看,射频芯片的设计门槛较高,国内射频厂商无论是IDM厂商,还是制造代工厂的制程技术仍属于弱势,所推出产品主要针对中低市场。未来随着技术积累和人力投入加大,国内射频厂商可有机会追赶国际主流射频大厂的步伐。

5G时代的新需求给国内射频产业链带来快速的发展机会,但是也对传输速率、时延、流量密度、移动性等提出更高要求,国内射频厂商要在新产品、新工艺、新材料方面齐下手,紧跟国际大厂前进步伐,才能享受5G带来的高速增长红利。

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