静态RAM结构组成原理图

图2．2 （1）静态RAM结构组成原理图

静态RAM的结构组成原理图如图2．2（1）所示，存储体是一个由64×64=4096个六管静态存储电路组成的存储矩阵。在存储矩阵中，X地址译码器输出端提供X0～X63计64根行选择线，而每一行选择线接在同一行中的64个存储电路的行选端，故行选择线能同时为该行64个行选端提供行选择信号。Y地址译码器输出端提供Y0～Y63计64根列选择线，而同一列中的64个存储电路共用同一位线，故由列选择线可以同时控制它们与输入／输出电路（I/O电路）连通。很显然，只有行、列均被选中的某个单元存储电路，在其X向选通门与Y向选通门同时被打开时，才能进行读出信息和写入信息的操作。

图中所示的存储体是容量为4K×1位的存储器，因此，它仅有一个I/O电路。如果要组成字长为4位或8位的存储器，则每次存取时，同时应有4个或8个单元存储电路与外界交换信息，这种存储器中，将列按4位或8位分组，每根列选择线控制一组的列向门同时打开；相应地，I／O电路也应有4个或8个。每一组的同一位，共用一个I/O电路。通常，一个RAM芯片的存储容量是有限的，需要用若干片才能构成一个实用的存储器。这样，地址不同的存储单元，可能处于不同的芯片中，因此，在选择地址时，应先选择其所属的芯片。对于每块芯片，都有一个片选控制端（），只有当片选端加上有效信号时，才能对该芯片进行读或写操作。一般，片选信号由地址码的高位译码产生.